Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > STB8NM60D
STB8NM60D
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Ólommentes / RoHS megfelelő
Kérjen árajánlat és lead idő
Az STB8NM60D elérhető, STB8NM60D-t is tudunk szállítani, az STB8NM60D pirce és az átfutási idő igényléséhez használja a kérési árajánlat űrlapot.Atosn.com professzionális elektronikai alkatrész-forgalmazó. Nagy készletünk van és gyors szállítás lehetséges. Vegye fel velünk a kapcsolatot még ma, és értékesítési képviselőnk megadja Önnek az árat és a szállítás részleteit az STB8NM60D. Részben. Tartalmazza az országának megfelelő vámkezelési kérdéseket. Szakmai értékesítési csapatunk vanés műszaki csapat, Örülünk, hogy veled dolgozhassunk.
Ajánlatkérés
Termék Paraméterek
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technológia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Szállító eszközcsomag
- D2PAK
- Sorozat
- MDmesh™
- RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
- 1 Ohm @ 2.5A, 10V
- Teljesítményleadás (Max)
- 100W (Tc)
- Csomagolás
- Tape & Reel (TR)
- Csomagolás / tok
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Más nevek
- 497-5244-2
- Üzemi hőmérséklet
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Szerelési típus
- Surface Mount
- Nedvességérzékenységi szint (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Ólommentes állapot / RoHS állapot
- Lead free / RoHS Compliant
- Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
- 380pF @ 25V
- Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
- 18nC @ 10V
- FET típus
- N-Channel
- FET funkció
- -
- Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
- 10V
- Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
- 600V
- Részletes leírás
- N-Channel 600V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
- 8A (Tc)
Hasonló termékek
- STMicroelectronics STB8NM60D
- STB8NM60D adatlap
- STB8NM60D adatlap
- STB8NM60D pdf adatlap
- Töltse le az STB8NM60D adatlapot
- STB8NM60D kép
- STB8NM60D rész
- ST STB8NM60D
- STMicroelectronics STB8NM60D